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最新:ESI大学及材料学科排行榜发布!
近日,科睿唯安公布了ESI最新统计数据。ESI收录了12000多种学术期刊上发表的SCIE和SSCI近十年发表的论文和被引数据,具有广泛的代表性,已经被全球普遍认可。
中国大陆一共418所高校有学科进入全球前1%,其中新增9所,无退出。新增高校为:西南民族大学、上海纽约大学、江苏海洋大学、宁波工程学院、天津大学-新加坡国立大学福州联合学院、陕西中医药大学、湖南工程学院、湖北经济学院、山东工商学院。
展会邀约 | 贝意克与您相约2023中国国际先进陶瓷展览会
2023中国国际粉末冶金、硬质合金与先进陶瓷展览会将于2023年5月31日至6月2日在上海世博展览馆H1&H2举行。作为我国材料装备行业标杆企业的贝意克设备也将携旗下产品参加此次展会,展位号E662,欢迎各界朋友莅临展位参观洽谈。
印度将成为培育钻石的最大市场
培育钻石主要采用两种方法生产——CVD(化学气相沉积)和 HPHT(高压高温)。有趣的是,印度是通过CVD技术生产培育钻石的最大生产国,占全球培育钻石产量的近25%。该技术为消费者提供了所有领先的钻石认证机构认证的最纯净的IIA型钻石。即使在开采的钻石中也很难找到IIA级质量的钻石,因为只有2%的开采钻石是最纯净的钻石类型。通过HPHT方法生产的低密度钻石在中国通过不同的技术生长,其硬度与开采钻石或CVD生长钻石不同,并且还含有金属杂质。
布朗大学研究人员通过观察石墨烯中的自旋结构,找到了解决二维电子领域障碍的方法
二十年来,物理学家一直在努力直接操纵石墨烯等二维材料中的电子自旋,这可能会开启二维电子学的进步。电子自旋的标准测量技术通常在二维材料中失败,阻碍了技术进步。然而,由布朗大学的研究人员领导的一个团队已经找到了解决方案,并发表在《Nature Physics》上。该研究首次证明了二维材料中自旋电子与微波辐射光子之间的直接相互作用,为研究二维量子材料中电子自旋特性建立了一种新的实验技术。这项技术可以为基于二维材料的计算和通信技术铺平道路。

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大型卷对卷连续石墨烯膜生长设备

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大型卷对卷连续石墨烯膜生长设备

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  主要特点

  基于广大科研界对实现大面积单层石墨烯薄膜在工业铜箔基底上卷对卷宏量制备的需求,我公司开发出一种新的卷对卷连续快速生长石墨烯薄膜的方法,设计并研制了可达到中试水平的石墨烯卷对卷化学气相沉积系统,通过对石墨烯成核与生长的调控实现高品质石墨烯薄膜生长;此款设备是快速冷却卷对卷等离子体增强CVD连续生长炉,它由高温生长腔体,三路质量流量计气路系统,真空机组,RF射频电源模块,石英管,冷却装置,收放铜箔的密封装置,自动化控制系统组成,两端分别安装有进料进气真空腔室和出料排气真空腔室(即收放铜箔的密封装置),收放铜箔的密封装置内分别对应安装有放卷滚轮和收卷滚轮,所输出料排气腔体与炉体之间安装有冷却装置。相对于现有技术具有快速冷却、连续生长的优点,可以进行大面积、高质量石墨烯的规模化生长。

 

  技术参数

额定功率
KW
3
额定电压
V
AC 208-240V 50/60 Hz
最高温度
1200
持续工作温度
≤1100℃
推荐升温速率
℃/min
≤30℃/min
炉管尺寸
mm
高纯石英管Φ100×1400mm(可使用基底铜箔宽度≤80mm)(其他尺寸可定制)
加热区长度
mm
400
恒温区长度
mm
200
控温方式
人机界面加PLC控制,10寸液晶屏控制,数字工控仪表双控,采用工业智能控温仪表和软件实现双控,采用模糊型PID控制。
无纸记录
1、内置存储记录运行工艺数据,外接USB接口,可以电脑连接一键拷贝数据。
2、系统采用自动化工艺流程,设定好工艺一键操作。降低人为因素,工艺可靠性可以达到99.9%。
控温精度
±1
加热元件
进口电阻丝
真空进料腔
进料进气真空腔室与出料排气腔体外壳以亚克力为主要材料,电机带动铜箔在密闭生长条件下运动,并通过冷却装置后收紧成卷。
气路系统配制
内部装有高精度质量流量计可准确的控制气体流量;设有静态混气室,有助于气体充分混合,按要求配比。
射频电源配制
RF射频电源等离子辅助模块,大大降低了石墨烯的生长温度,是铜箔的机械强度适合连续收放
真空系统配制
真空机组内含真空泵,数字真空计以及相关的连接调节阀,可提供一个可控的低压环境。
认证标准
CE
尺寸(长X宽X高)
mm
2280*600*1280
净重
Kg
约450 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

大型卷对卷连续石墨烯膜生长设备

 

大型卷对卷连续石墨烯膜生长设备

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