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【第二期】优秀劳动楷模
【第一期】优秀劳动楷模
携手并进 再铸辉煌 ——百思集团成功召开股权激励发布大会
2022年5月8日上午,集团公司股权激励发布会暨首批持股员工签约仪式正式召开。集团董事长孔令杰先生、总经理李晓丽女士以及集团高管、各职能部门负责人参加了此次会议。



会上,董事长简述了百思集团发展的过去和未来,并为与会人员描绘了百思宏伟蓝图及美好的前景与未来,极大的振奋和鼓舞了员工士气;并要求全体员工“顺时势、树典范、明思路、分步骤、理关系”,相互配合、主动积极地开展工作,为集团接下来的各项工作有序开展打下坚实的基础。

 



随后,李总讲解了股权激励的思维和方案,阐述在市场竞争激烈今天,公司运营体制必须向更优、更强方向迈进,而股权激励就是很好方式,引凤筑巢,分股合心,集结人才,在共同事业中互动、升华,成就大家更美好的未来!

 



接下来,迎来本次大会的重要环节-股权激励签约仪式,由董事长向激励对象献上荣耀的鲜花,绶带,颁发签约本,并宣誓合影留念



最后,激励对象代表车总、孙总分别为大家分享自身的拼搏的经验和成功的秘诀;大家也各抒己见、高谈雄辩,现场氛围轻松、活跃。



“股改放飞梦想,创新引领未来”本次集团公司实施股权激励政策,必将对企业高质量发展具有实质性推动作用,在企业发展史上写上浓墨重彩的一笔。最后我们祝愿百思集团借股权激励启动东风,取得辉煌业绩,共赢美好明天!
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RIE280感应式反应刻蚀系统

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产品描述
产品参数

反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的,利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀,即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应,同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面的作用。

本设备适用于常规尺寸样片(不超过φ4英寸)的刻蚀,可刻蚀的材料主要有SiO2、Si2N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等,设备具有选择比高、刻蚀速度快、重复性好等优点。装置带负偏压,可实现更多的各向异性蚀刻轮廓。装置示意及实物图如下:

 

装置参数介绍:

  • 腔体组件

    刻蚀真空腔体采用圆筒形结构,优质304不锈钢材质焊接而成,直径280mm,高度180mm,侧面开门,下方设有偏压样品台及多孔抽气口(抽气更均匀),样品台直径120mm,可最大放置直径100mm样品。主腔体上部设有带导流罩的ICP源及进气口。

  • 电源系统

一套射频电源连接缠绕在腔体外的螺旋线圈,使线圈产生感应耦合的电场,在电场作用下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体,一套偏压电源连接在样品台上使得等离子体产生定向运动,获得最佳各向异性蚀刻轮廓。

  • 进气及真空抽气系统

   系统进气采用4路质量流量计控制进气,最大流量200SCCM。另外配备一路保护气体入口,用于吹扫腔体及腔体放气。真空抽气采用一台4L双级旋片式真空泵及阀门组成,真空测量采用一套数显热偶真空计。

  • 台架及控制系统

装置采用一体化设计,整机尺寸约600mm*600*700mm(高),底部设有脚轮,刻蚀腔体固定在台架上部,控制部分采用手动逻辑控制。

 

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