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碳纳米管在5G物联网时代的应用
奉献爱心赠帐篷,同心抗疫筑防线——百思集团捐赠爱心防疫帐篷,协力筑起疫情防控坚实防线
11月13日,百思集团通过安巢经开区向半汤街道捐赠100顶爱心帐篷,安巢经开区党工委副书记、纪检监察工委书记杜亚斌、安巢经开区机关党委、企业党委书记杨春、半汤街道党工委书记邹健康、半汤街道办事处主任张宪等领导参加了捐赠仪式。
我与贝意克的故事---人物专访
我叫谢永辉,是福州大学物理与信息工程学院2020级博士研究生,主要从事高能量密度锂硫电池电极材料的设计及性能调控。



文章链接:https://doi.org/10.1016/j.cej.2022.139017



    该论文《Multi-functional bilayer carbon structures with micrometer-level physical encapsulation as a flexible cathode host for high-performance lithium-sulfur batteries》发表于Chemical Engineering Journal,中科院分区为SCI一区top,影响因子为16.744。



    在文章中也阐述了实验所用的设备正是安徽贝意克设备技术有限公司提供的BTF-1200C-S-SL-PECVD。所发表工作中材料的合成主要是对金属有机框架(MOF)热解及气相沉积垂直石墨烯纳米花碳层,这需要良好的真空度、控温效果及精度,贝意克设备完全满足这些使用条件。此设备购置于2020年,目前已在实验室服役第3年,其控温效果、真空度等参数仍与刚购买时相差无几。此外,贝意克的市场销售以及技术人员在仪器使用中给予我们大量的技术支持,为科研的顺利进行提供了重要的帮助,在此表示感谢!



    作为贝意克的老用户,非常感谢贝意克设备的长久陪伴和支持,让我成功发表SCI一区top文章3篇。此外,贝意克奖学金活动也是对科研工作者一种特别实在的鼓励与支持!



    最后,希望贝意克公司越办越好,开发出更多更高效的设备,为广大科研人员再添助力!
我与贝意克的故事---人物专访
 我叫邓李朋,硕士就读于浙江理工大学,在校期间研究半导体薄膜的制备及其光电性能研究。

文章链接:https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.154459



      本次发表的论文《Surface plasma treatment reduces oxygen vacancies defects states to control photogenerated carriers transportation for enhanced self-powered deep UV photoelectric characteristics》在《Applied surface science》上发表,该期刊分区为一区,影响因子7.392(2022)。



      在文中所阐述的薄膜制备仪器是购自于安徽贝意克公司的BTF-1200C-PECVD-500A。主要是使用该设备在不同的温度下生长氧化镓薄膜,同时需要精准的控制气体的流量。值得一提的是在长时间的使用过程中400-1200℃的高温下该设备依旧可以正常工作且气密性极好。该设备购至于2019年2月,目前以在实验室服役3年半,其温控、压强、流量显示依旧准确。这是贝意克公司良好品控的体现。此外,贝意克的市场销售以及相关技术人员在仪器的使用过程中给予了我们大量的技术支持,为科研的顺利进行提供了重要的帮助,在此表示感谢。



      作为贝意克的用户,十分感谢贝意克的设备在科研工作期间的陪伴。贝意克奖学金是回馈用户的一个很Nice的方案,同时也是对我们工作的肯定。



      最后,祝愿贝意克公司蒸蒸日上,为一线的科研人员提供更好更精密的产品。

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RIE280感应式反应刻蚀系统

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反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的,利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀,即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应,同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面的作用。

本设备适用于常规尺寸样片(不超过φ4英寸)的刻蚀,可刻蚀的材料主要有SiO2、Si2N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等,设备具有选择比高、刻蚀速度快、重复性好等优点。装置带负偏压,可实现更多的各向异性蚀刻轮廓。装置示意及实物图如下:

 

装置参数介绍:

  • 腔体组件

    刻蚀真空腔体采用圆筒形结构,优质304不锈钢材质焊接而成,直径280mm,高度180mm,侧面开门,下方设有偏压样品台及多孔抽气口(抽气更均匀),样品台直径120mm,可最大放置直径100mm样品。主腔体上部设有带导流罩的ICP源及进气口。

  • 电源系统

一套射频电源连接缠绕在腔体外的螺旋线圈,使线圈产生感应耦合的电场,在电场作用下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体,一套偏压电源连接在样品台上使得等离子体产生定向运动,获得最佳各向异性蚀刻轮廓。

  • 进气及真空抽气系统

   系统进气采用4路质量流量计控制进气,最大流量200SCCM。另外配备一路保护气体入口,用于吹扫腔体及腔体放气。真空抽气采用一台4L双级旋片式真空泵及阀门组成,真空测量采用一套数显热偶真空计。

  • 台架及控制系统

装置采用一体化设计,整机尺寸约600mm*600*700mm(高),底部设有脚轮,刻蚀腔体固定在台架上部,控制部分采用手动逻辑控制。

 

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