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贝意克学术论文奖荐读 | 宁波大学王冰坤

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粉状基底石墨烯生长设备

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产品名称

粉状基底石墨烯生长设备

设备型号：BTF-1200C-RP-PECVD 设备简介：该款设备是全自动Plasma增强CVD系统(PECVD)，连续可控温度以及Plasma强度等，配备真空系统，可以低压条件下实现工艺，PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区，辉光相对均匀等效，很好的解决了传统等离子工作不稳定状态，该设备炉管可360°旋转，有助于粉料的烧结更均匀，可大角度倾斜，方便进出料，倾斜角度在0-35°之间，所有物料经过的管道都选用非金属材质，如：进出料腔体选用石英材质，推料杆选用石英及聚四氟材质。

所属分类

石墨烯生长设备系列

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产品描述

产品参数

技术参数（支持定制）：

功率	4KW
电压	AC 220V 50/60Hz
最高温度	1200℃
使用温度	1100℃
加热区长度	200+200mm
恒温区长度	250mm
控温精度	±1℃
控温方式	模糊PID控制和自整定调节智能化30段可编程控制超温和断偶报警功能操作界面为10"液晶触屏控制
炉管尺寸	Φ60420mm+Φ100360mm+Φ60*420mm
炉管转速	3~60r/min
倾斜角度	0~35°

卷对卷（RTR）连续生长石墨烯PECVD设备