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产品名称

粉状基底石墨烯生长设备

设备型号:BTF-1200C-RP-PECVD 设备简介:该款设备是全自动Plasma增强CVD系统(PECVD),连续可控温度以及Plasma强度等,配备真空系统,可以低压条件下实现工艺,PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区,辉光相对均匀等效,很好的解决了传统等离子工作不稳定状态,该设备炉管可360°旋转,有助于粉料的烧结更均匀,可大角度倾斜,方便进出料,倾斜角度在0-35°之间,所有物料经过的管道都选用非金属材质,如:进出料腔体选用石英材质,推料杆选用石英及聚四氟材质。
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产品描述
产品参数

技术参数(支持定制):

功率

4KW

电压

AC 220V  50/60Hz

最高温度

1200℃

使用温度

1100℃

加热区长度

200+200mm

恒温区长度

250mm

控温精度

±1℃

控温方式

模糊PID控制和自整定调节

智能化30段可编程控制

超温和断偶报警功能

操作界面为10"液晶触屏控制

炉管尺寸

Φ60*420mm+Φ100*360mm+Φ60*420mm

炉管转速

3~60r/min

倾斜角度

0~35°

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