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1200℃晶体生长炉(可适用于顶部籽晶法)

设备型号:VTF-1200C-TSSG 设备简介:该设备是一款顶部籽晶法晶体生长炉,可利用助溶剂法生长各种材料单晶。配备精密旋转提拉机构可用于顶部籽晶助溶剂法生长各种晶体材料,提拉和旋转速度采用PLC触摸屏控制,操作简便。

关键词:

晶体生长

顶部籽晶法

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  • 主要特点

    · 由1200℃井式箱式炉与精密旋转提拉机构两部分组成,可用于TSSG法生长各种材料单晶

    · 最高温度可达1200℃

    · 提拉和旋转速度采用PLC触摸屏控制,操作简便

    · 炉体可移动,装样方便

    · 箱式炉采用双层壳体结构,使得表面温度<60℃

    主要参数

    · 额定电压:220V  50/60Hz,额定功率:4KW

    · 最高温度:1200℃

    · 工作温度:≤1100℃

    · 推荐升温速率:≤5℃/min

    · 加热区尺寸:Φ240x200mm(H)

    · 紫晶最大直径:30mm

    · 提拉速度:0.1-50mm/h

    · 最大提拉行程:250mm

    · 旋转速度:0.1-23r/min

    · 快速升降速度:50mm/min

    · 控温方式:模糊PID控制和自动整定调节,智能化30段可编程控制

    · 控温精度:±1℃

    · 加热元件:电阻丝(掺钼铁铬铝合金)

    · 炉膛材料:氧化铝多晶纤维

    质保期

    · 一年质保,终生维护

    · 耗材部分(如加热元件、密封圈等)和因人为使用不当造成的损害不在保修范围内

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