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磁控溅射仪 BT250
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产品名称

磁控溅射仪 BT250

设备型号:BT250 设备简介:磁控溅射是利用磁场束缚电子的运动(即磁控管模式),其结果导至轰击基片的高能电子的减少和轰击靶材的高能离子的增多,使其具备了“低温”、“高速”两大特点。磁控溅射法制备的薄膜厚可控性和重复性好、薄膜与基片的附着能力强,膜层纯度高。
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产品描述
产品参数

系统结构及功能概述
本镀膜系统为圆形真空室结构,后部抽气,正面开门结构,采用优质奥氏体不锈钢制造。溅射沉积室顶板上安装有一只2inch磁控溅射靶,出射束流方向朝向基片架并在基片上得到薄膜。该设备结构简单,可用于研究和开发纳米级单层及多层功能膜,如硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、复合膜、铁磁膜和磁性薄膜等新型薄膜材料。

 

溅射沉积系统为一单靶溅射沉积系统,靶固定在真空室顶板上,靶基距可以通过基片架的升降来调节(靶基距60mm~90mm可调)。基片架可升降,采用磁流体密封装置+步进电机驱动,满足基片旋转要求。
A真空获得及压力控制
真空获得系统利用涡轮分子泵作为主泵,机械旋片泵作为前级泵对真空系统抽气。真空度控制通过和主泵相连的节流阀来实现。
B溅射电源
一只500W数字式直流溅射电源。

 

极限真空度

≤6×10-5Pa

(清洁+烘烤去气条件下12小时内获得)

抽真空时间

20分钟内,≤6×10-4Pa

基片加热温度

≤600℃

基片尺寸

≤Φ2inch的圆片

基片架数量

1套

靶材尺寸

直径50mm

靶数量

1只

真空室尺寸

DN220*340mm(根据实际情况可能会适当调整)

基片架移动距离

≤50mm(轴向方向)

气路系统

2路进气,其中1路为放气使用

 

 

项目

单位

数量

规格

备注

溅射真空室

溅射真空室

1

DN220*320

尺寸根据设计要求适当调整上盖可开启

超高真空节流阀

1

DN100

电动控制

分子泵

1

110L/S

沉积室主泵

机械泵

1

DVR10

兼起预抽泵和前级泵作用

挡板阀

1

DN25

预抽管道通断

截止阀

2

 

电动

超高真空截止阀

1

DN16

 

照明及烘烤装置

1

 

 

各型法兰及观察窗

 

DN16、35、63、100、150

 

不锈钢管路、管接头

1

 

各种规格精密不锈钢管、波纹管、管接头

其它阀门

1

 

 

真空测量

数显复合真空计

1

 

数字式

金属裸规

1

 

金属接口

质量流量控制器

1

 

100sccm

管路及接头

1

 

 

截止阀

1

 

电动

进气等控制接口

1

 

 

转动样品架

转动基片架

1

 

基片旋转

升降装置

1

 

手动升降,磁流体密封

样品旋转

1

 

步进电机控制

磁控溅射系统

磁控溅射靶

1

50mm

一体式溅射靶,带挡板

溅射电源

1

500W

直流

溅射挡板系统

1

 

 

设备机架

1

 

含喷塑面板及不锈钢台面

标准件、配件、附件

1

 

 

水气路系统

1

 

含冷却水机

控制系统

1

 

 

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