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我与贝意克的故事---人物专访

最新：ESI大学及材料学科排行榜发布！

近日，科睿唯安公布了ESI最新统计数据。ESI收录了12000多种学术期刊上发表的SCIE和SSCI近十年发表的论文和被引数据，具有广泛的代表性，已经被全球普遍认可。
中国大陆一共418所高校有学科进入全球前1%，其中新增9所，无退出。新增高校为：西南民族大学、上海纽约大学、江苏海洋大学、宁波工程学院、天津大学-新加坡国立大学福州联合学院、陕西中医药大学、湖南工程学院、湖北经济学院、山东工商学院。

展会邀约 | 贝意克与您相约2023中国国际先进陶瓷展览会

2023中国国际粉末冶金、硬质合金与先进陶瓷展览会将于2023年5月31日至6月2日在上海世博展览馆H1&H2举行。作为我国材料装备行业标杆企业的贝意克设备也将携旗下产品参加此次展会，展位号E662，欢迎各界朋友莅临展位参观洽谈。

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间歇式CVD回转炉 BTF-1200C-III-150-CVD

设备型号：BTF-1200C-III-150-CVD

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智能型大口径高真空退火炉 BTF-1100C-IIIA-05

设备型号：BTF-1100C-IIIA-05

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1200℃真空气氛箱式炉 ZMF-1200C-M

设备型号：ZMF-1200C-M

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单温区立式搅拌炉 BTF-700C-VT-50

设备型号：BTF-700C-VT-50

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800℃十六管热稳定测试设备 BOF-800C-16D

设备型号：BOF-800C-16D 设备简介：热稳定测试台设备专为OLED行业发光有机材料热稳定测试设计，其十六管结构可以一次独立完成16种材料的测试，集成控制系统能统一记录并分别控制各个腔体内的温度和热稳定测试时间。

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智能升降钟罩炉 BTF-1200C-BELL

设备型号：BTF-1200C-BELL

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小型浮动催化系统 BTF-1500C-CVD

设备型号：BTF-1500C-CVD

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定制型升华设备 BOF-2C-400D

设备型号：BOF-2C-400D

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双管式高真空管式设备 BSL-1ZH-D80-2D

设备型号：BSL-1ZH-D80-2D 设备简介：双管式高真空管式设备BSL-1ZH-D80-2D，配备真空系统、手摇升降机构、触摸屏控制系统、气路组件、真空系统、防护组件等；设备平台可0-20度手动升降，双管高真空实验；设备左端法兰上每管配有压力表和2个截止阀控制的进气口，其中一个为备用扣；右端法兰上端配有压力保护装置，出气口对接点火装置，方便处理尾气；后部通过手动插板阀对接冷井至真空泵组合：分子泵+干泵。

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摇摆管式炉（Swing tube furnace）

型号：BTF-1200C-SK 关键词：摇摆管式炉BTF-1200C-SK是一款管式摇摆炉，最高温度可达1200℃，30段可编程精密温度控制器,可根据不同的客户需求来设定升降温程序，设备可设定取放料工位（如垂直取放料），并设定摇摆起始工位（如垂直作为起始工位），可实现液晶屏一键归位，速度范围为0-30次/min，倾斜角度可达±30度。内置310不锈钢防护管，可很好的在石英样管出现特殊情况爆管的时候起到保护作用。产品用途：可通过摇摆提高熔体均匀性、细化晶粒，广泛应用于热电材料制备工艺中。

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双独立温场高温滑轨炉（High temperature slide furnace with double independent temperature field）

型号：BTF-1400C-II-SSL 关键词：BTF-1400C-II-SSL是一款两个完全独立温场的高温滑轨炉，采为卡箍快捷密封法兰，安装拆卸取放样品简便快捷，两个数字温度控制器可独立控制温度，并可设置30段升降温程序，加热区均采用硅碳棒进行加热，连续使用温度可达1300度；两个独立的炉体可靠近亦可分离，可以灵巧的控制整个温度分布。适用范围：广泛用于CVD实验、荧光粉制备、真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境中。

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1200℃智能型PECVD系统（含压力控制系统） PECVD-500A-D

设备型号： PECVD-500A-D 设备简介：智能PECVD-500A-D是将所有的控制部分集为一体且目前最新型的一款设备。可配备PE射频电源，将CVD系统升级为PECVD。当参与反应的气氛进入炉管在射频电源的作用下产生离子体，可使反应更加充分。同时等离子体起增强的作用，从而很大程度上优化实验的工艺条件。我公司研制的滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区，辉光均匀等效，这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态，这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍，并解决了物料不均匀堆积现象。与传统CVD系统比较，生长温度更低。使用滑轨炉实现快速升温和降温，设备特有的专利技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长。

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定制小型立式滑轨炉 BTF-700C-III-SVT

设备型号：BTF-700C-III-SVT

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1200℃前端预热法硫化钼制备CVD设备 BTF-1200C-Ⅲ-S-400C-D

设备型号：BTF-1200C-Ⅲ-S-400C-D 设备简介：前端预热法硫化钼制备CVD设备由预热炉、三温区管式炉、低真空机组和供气系统组成。前端配有可加热到500℃的预加热器，辅助硫粉蒸发，后端为三温区硫化炉，温度控制精确，操作简便。同时搭配三路质量流量计系统，可以精确控制实验所需的气体流量，低真空机组可以满足抽真空的需求。

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中试流化床-粉体碳纳米管生长设备 BTF-1200C-5VT-D200

设备型号：BTF-1200C-5VT-D200 设备简介：流化床—粉体碳纳米管生长设备可控及批量制备碳纳米管设备，该设备包括有：流化床反应器、五温区加热装置、催化剂装载平台、密封装置。气体经过气体流量控制装置后与流化床反应器的进气口相连接，气源进入反应腔体后与催化剂发生反应，从而生长碳纳米管。

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磁控溅射仪 BT250

设备型号：BT250 设备简介：磁控溅射是利用磁场束缚电子的运动（即磁控管模式），其结果导至轰击基片的高能电子的减少和轰击靶材的高能离子的增多，使其具备了“低温”、“高速”两大特点。磁控溅射法制备的薄膜厚可控性和重复性好、薄膜与基片的附着能力强，膜层纯度高。

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1200℃智能型单温区滑轨式热处理设备 BTF-1200C-SL-4Z

设备型号：BTF-1200C-SL-4Z 设备简介：管式真空/气氛提纯分离装置主要用途是在真空条件下预先抽真空后进行惰性气体洗气。气氛流动（一进一出，维持常压）情况下对有机混合物进行升华达到纯化的目的（即蒸发后再结晶）。主要处理对象为具有升华性的有机材料或具有流动相持性混合物如有机声光产品（有机发光显示器使用的有机光电材料）或纳米材料。

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半导体前驱体提纯仪/药品提纯仪/去金属离子提纯仪

设备型号：BOF-6-210 设备简介：此设备在出料端配置对面四工位手套箱，手套箱内设置底铺设四氟垫或喷涂特氟能起到防腐作用，半导体材料升华仪根据材料升华温度、分子量的差异，对于材料进行提纯，参数准确，工艺可靠稳定，实验结果表明，单次升华可大幅度降低有机材料中的杂质金属离子浓度，将材料的纯度提升一至三个数量级。整个操作过程材料与大气隔绝，避免了大气中水、氧的影响以及灰尘的污染，是制备高纯度半导体前驱体及相关材料的最佳选择。

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半导体前驱体提纯仪/药品提纯仪/去金属离子提纯仪

设备型号：BOF-5-100V 设备简介：此款设备将实验级别的升华机右端料端均对接手套箱，手套箱可内衬四氟或喷涂特氟能起到防腐作用，半导体材料升华仪根据材料升华温度、分子量的差异，对于材料进行提纯，参数准确，工艺可靠稳定，实验结果表明，单次升华可大幅度降低有机材料中的杂质金属离子浓度，将材料的纯度提升一至三个数量级。整个操作过程材料与大气隔绝，避免了大气中水、氧的影响以及灰尘的污染，是制备高纯度半导体前驱体及相关材料的最佳选择。

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垂直式升华仪 BOF-2-200L

设备型号：BOF-2-200L 设备简介：本款设备专用于金属有机物等低升华点腐蚀性材料的升华提纯。原材料罐可以根据所需条件，自由选择油浴、沙浴、电加热等方式，通过对管道进行加热避免材料沉积在管道内；采用双冷阱作为收集罐，可以对两组分别升华收集；机械泵前设置深冷冷阱，避免残余物质进入机械泵中，大大延长了机械泵的使用寿命。原料罐、收集罐可以封闭后直接放入手套箱操作，避免了大气中水、氧等对材料的影响。腔体、管道、阀门采用316不锈钢材质，内壁有40um的聚四氟涂层，避免金属腔体对材料的污染；外表进行精抛光处理，便于清理。

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分体式升华设备将热场置于手套箱 BOF-3-50V

设备型号：BOF-3-50V 设备简介：此款设备简易分体式结构，能将升华体置于手套箱内部，控制部分及真空部分置于手套箱外，操作简易。能初步满足材料进出及升华过程中的气氛保护要求。法兰为球头真空吸附方式密封，无需工具操作，大大降低了手套箱内的操作难度，整个操作过程材料与大气隔绝，避免了大气中水、氧的影响以及灰尘的污染，是制备高纯度半导体前驱体及相关材料的最佳选择。

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新款智能型等离子体增强化学气相沉积系统 PECVD-500A

设备型号：PECVD-500A

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1200℃加长双温区管式炉 BTF-1200C-II-D-880

设备型号：BTF-1200C-II-D-880

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卷对卷连续化走丝BN沉积系统 RTR-1400C-III-60

设备型号：RTR-1400C-III-60 设备简介：该设备为我司研发用于材料连续生长的专用设备，此款设备是快速冷却卷对卷CVD连续生长炉，它由高温生长加热系统，真空密封腔室，刚玉管，SiC纤维卷绕部件，自动化控制系统组成，两端分别安装有进料进气真空腔室和出料排气真空腔室（即收放卷的密封装置），收放密封装置内分别对应安装有放卷滚轮和收卷滚轮，所输出料排气腔体与炉体之间安装有冷却装置。相对于现有技术具有快速冷却、连续生长的优点。

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真空气氛箱式炉 ZMF-1400C

设备型号：ZMF-1400C 设备简介：贝意克自主研发生产的ZMF-1400C真空箱式炉系列用于在1350℃以下金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用于产品的炭化试验。该炉采用优质U型硅棒加热，PID程序控温仪控制，温控仪可设定30段升温曲线、PID控制参数自整定、并具有断偶、超温报警保护等功能。炉体采用超轻质高铝纤维材料，具有热容小、温度升降控制灵活、节能等特点，真空加热室由双层钢板焊成圆桶形密封套，内装炉膛和端盖，为设备提供优良的真空加热环境；同时利用钢板夹层隔绝热量，降低了炉体表面温度，防止灼伤。设备可根据真空度的需要分别选用机械泵或真空机组，非常适合于试验和小批量生产之用。

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卷对卷连续化生长CVD设备 RTR-III-80

设备型号：RTR-III-80 设备简介：该设备为我司研发用于石墨烯薄膜连续生长或者线性材料的连续的专用设备，此款设备是快速冷却卷对卷CVD连续生长炉，它由高温生长腔体，三路质量流量计气路系统，真空机组，石英管，冷却装置，收放卷的密封装置，自动化控制系统组成，两端分别安装有进料进气真空腔室和出料排气真空腔室（即收放铜箔或纤维丝的密封装置），收放密封装置内分别对应安装有放卷滚轮和收卷滚轮，所输出料排气腔体与炉体之间安装有冷却装置。相对于现有技术具有快速冷却、连续生长的优点，可以进行大面积、高质量石墨烯的规模化生长或者线性材料的连续生长。（纤维生长工艺，配有纤维张力计，可以通过调节电机转速，以便达到纤维连续进出且受力均匀）

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自动进料回转CVD系统 BTF-1200C-R-CVD

型号：BTF-1200C-R-CVD

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前端预热滑轨式PECVD BTF-1200C-II-SL-PECVD

设备型号：BTF-1200C-II-SL-PECVD 设备简介：我公司研制的滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区，辉光均匀等效，这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态，这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍，并解决了物料不均匀堆积现象。该款设备是全自动Plasma增强CVD系统（PECVD），系统可以实现连续滑动温区，连续可控制温度及Plasma强度。PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：①电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。②通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单。

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真空中频感应熔炼纺丝设备 BMF-1800C-D

设备型号：BMF-1800C-D 设备简介：真空中频感应熔炼炉为立式炉壳型的真空感应电炉。专供特殊钢、高温合金、精密合金等在真空或保护气氛下进行熔炼和铸锭之用，亦可供小型零件的真空精密铸造使用。

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1200℃真空气氛滑轨炉 BTF-1200C-DSL

设备型号：BTF-1200C-DSL 设备简介：BTF-1200C-DSL 是一款精巧型快速热处理管式炉，配有石英管和真空水冷法兰，它是专为半导体或太阳能电池基片的退火而设计，采用电阻丝为加热元件。温度控制位30 段可编程温度控制器，控温精度为±1°C。内部配有石英材质样品架，可以自由滑动实现快速升降温功能。根据工艺需要，炉管内部可引入电极，适合更多数据采集需要。承载样品的托架可直接划出炉腔，使进出样品更方便简易，同时能实验高温条件下进出样品。