设备简介:基于广大科研界对实现大面积单层石墨烯薄膜在工业铜箔基底上卷对卷宏量制备的需求,我公司利用一种新型等离子增强卷对卷连续快速生长石墨烯薄膜的方法,设计并研制了可达到中试水平的石墨烯卷对卷化学气相沉积系统,通过对石墨烯成核与生长的调控实现高品质石墨烯薄膜生长;卷对卷热压印-电化学快速鼓泡转移方法转移,避免了铜箔刻蚀的常规转移工艺,实现了石墨烯从铜箔生长基底直接向工业用 PET 柔性透明塑料基底的连续化无损转移。
该设备在真空条件下,通过射频电源作用于真空腔室内的稀薄气体,形成等离子体等效辉光作用(本公司PECVD专利),利用等离子体的场能部分代替了热能,从而降低石墨烯生长温度,改善工艺条件。通过对石墨烯成核与生长的调控实现高品质石墨烯薄膜生长。该方法使用铜箔作为基底,电机带动铜箔在密闭生长条件下运动,经过第一温区(退火区)处理后的铜箔;在第二、第三温区(生长区)石墨烯将沉积在铜箔上,并通过冷却装置后收紧成卷。相对于现有技术具有快速冷却、连续生长的优点,可以进行大面积、高质量石墨烯的规模化生长。