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等离子辉光滑轨PECVD系统
设备型号:PECVD-500A/PECVD-S-150A 设备简介:PECVD高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品,其极低的热导率和比热容,保证了炉膛的快速升温和低蓄热,特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热,有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统,控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温,电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制,从而大大提高了发热元件的寿命,测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID 参数,无须操作人员的干预,可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号,同时系统设置了超温、欠温、断偶报警保护功能,大大降低了对操作人员经验的要求,关键电气元件采用优质的进口产品,做到高性能、免维护,提高了设备质量的可靠性。 应用领域:本设备主要针对实验石墨烯生长和制备使用,同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。
前端预热滑轨式PECVD BTF-1200C-II-SL-PECVD
设备型号:BTF-1200C-II-SL-PECVD 设备简介:我公司研制的滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区,辉光均匀等效,这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态,这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍,并解决了物料不均匀堆积现象。该款设备是全自动Plasma增强CVD系统(PECVD),系统可以实现连续滑动温区,连续可控制温度及Plasma强度。PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:①电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。②通过反应气态放电,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点,工艺流程简单。
大口径动态plasma辅助法卷对卷式石墨烯制备设备 RTR-150
设备型号:RTR-150 设备简介: 该设备为我司研发用于材料连续生长的专用设备,此款设备是快速冷却卷对卷等离子体增强CVD连续生长炉,它由高温生长腔体,质量流量计气路系统,真空机组,RF射频电源模块,石英管,冷却装置,收放卷的密封装置,自动化控制系统组成,两端分别安装有进料进气真空腔室和出料排气真空腔室(即收放卷的密封装置),收放密封装置内分别对应安装有放卷滚轮和收卷滚轮,所输出料排气腔体与炉体之间安装有冷却装置。相对于现有技术具有快速冷却、连续生长的优点。
小型滑轨式PECVD系统 BTF-1200C-S-SL-PECVD
设备型号:BTF-1200C-S-SL-PECVD 设备简介:我公司研制的滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区,辉光均匀等效,这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态,这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍,并解决了物料不均匀堆积现象。该款设备是全自动Plasma增强CVD系统(PECVD),系统可以实现连续滑动温区,连续可控制温度及Plasma强度。PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:①电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。②通过反应气态放电,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点,工艺流程简单。
微型PECVD系统
设备简介:微型PECVD系统,它包括小型真空管式炉,石英真空室、真空抽气与真空测量系统、气路系统、射频电源系统、物料喷射系统。电源范围宽:0-150W可调; 温度范围宽:100-1200度可调;溅射区域宽:0-600mm可调;适用范围宽:金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,连续生长各种薄膜等。增加功能容易,可扩展等离子清洗刻蚀等功能。
前端预热双温区滑轨PECVD BTF-1200C-II-SL-400C-PECVD
设备型号:BTF-1200C-II-SL-400C-PECVD 设备简介:PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式,低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点,工艺流程简单。 配有前端预加热炉,辅助固态源蒸发,后端为单温区加热炉 ,温度控制精确,操作简便,对于气相沉积,二维材料,等离子处理生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
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