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1200℃双温区PECVD系统 BTF-1200C-II-SL-PECVD

设备型号:BTF-1200C-II-SL-PECVD 设备简介:PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式,低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点,工艺流程简单。配有前端预加热炉,辅助固态源蒸发,后端为单温区加热炉 ,温度控制精确,操作简便,对于气相沉积,二维材料,等离子处理生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

关键词:

PECVD

组合式PECVD

气相沉积

二维材料

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    · 电压:单相220V 50Hz

    · 最高温度:1200℃

    · 使用温度:≤1100℃

    · 炉膛材料:氧化铝、高温纤维制品

    · 炉膛有效尺寸:Ф50mm(炉管直径可根据实际需要定制)

    · 加热区长度:200+200mm,恒温区长度:100+100mm

    · 控温方式:30段可编程控温,PID参数自整定

    · 控温精度:±1℃

    · 加热元件:电阻丝

    · 热电偶类型:K型

      

    预热系统

    · 额定功率:800W

    · 使用温度:400℃

    · 炉膛材料:氧化铝、高温纤维制品

    · 炉膛有效尺寸:Ф50mm(炉管直径可根据实际需要定制)

    · 加热区长度:100mm

    · 控温方式:30段可编程控温,PID参数自整定

    · 控温精度:±1℃

    · 加热元件:电阻丝

    · 热电偶类型:K型

    PE系统

    · 供电电压:单相交流(187V-253V) 频率50/60Hz

    · 功率输出范围:0~500W

    · 最大反射功率:100W

    · 射频输出接口:50 Ω, N-type, female

    · 功率稳定度:≤5W

    · 谐波分量:≤-50dbc

    · 整机效率:≥70%

    · 功率因素:≥90%

    · 冷却方式:强制风冷

    3路质子流量控制系统

    · 连接头类型:双卡套不锈钢接头

    · 标准量程(N2):50sccm、100sccm、500sccm(可根据用户需求定制)

    · 准确度:±1.5%F.S.

    · 线性:±1%F.S.

    · 重复精度:±0.2%F.S.

    · 响应时间:气特性 1~4Sec,电特性 10Sec

    · 工作压差范围:0.1~0.5MPa

    · 最大压力:3MPa

    · 接口:Φ6,1/4''

    · 显示:4位数字显示

    · 工作环境温度:5~45高纯气体

    · 压力真空表:-0.1~0.15MPa, 0.01MPa/格

    · 截止阀:Φ6

    · 内外双抛不锈钢管:Φ6

    低真空机组

    · 工作电压:280V

    · 工作环境温度:5~40℃

    · 空气相对湿度:≤85%

    · 抽气速率:32m³/h

    · 极限真空:5 x 10-1Pa(空载冷态)

    · 工作压力范围:1.01325 x 105  1.33 x 10-2Pa

    · 耐压值:0.03MPa

    · 进/排气口口径:KF40

    · 连接方式:采用波纹管,手动挡板阀与波纹管相连

    质保期

    · 一年质保,终身维护

    · 耗材部分如热电偶、密封圈、炉管等不包含在内

    · 因人为损坏/使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内

    注意事项

    · 炉管内气压不可高于0.02MPa(相对气压)

    · 对于样品加热的实验,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,若气压表示数大于0.02MPa,必须立刻打开泄气阀,以防意外发生(如炉管破裂,法兰飞出等)

    · 如工艺原因需要使用易燃易爆和有毒气体,请自行做好相关防护和防爆措施。由于使用易燃易爆和有毒气体过程误操作而造成的相关问题,本公司概不负责

    · 随着使用时间的延长,炉膛可能会出现小裂纹,这是正常情况,裂纹可以用氧化铝涂层修复

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