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1200℃双温区PECVD系统 BTF-1200C-II-PECVD
浏览量:
产品名称

1200℃双温区PECVD系统 BTF-1200C-II-PECVD

设备型号:BTF-1200C-II-PECVD BTF-1200C-II-SL-PECVD 设备简介:PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式,低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点,工艺流程简单。配有前端预加热炉,辅助固态源蒸发,后端为单温区加热炉 ,温度控制精确,操作简便,对于气相沉积,二维材料,等离子处理生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
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产品描述
产品参数

加热系统

最高温度

1200℃

使用温度

≤1100℃

炉膛有效尺寸

Φ50(炉管直径可根据实际需求定制)

炉膛材料

氧化铝、高温纤维制品

热电偶

K型

控温精度

±1℃

控温方式

30段可编程控温,PID参数自整定

加热区长度

200+200mm

恒温区长度

100+100mm

加热元件

电阻丝

供电电源

单相,220V  50Hz

预热系统

最高温度

400℃

炉膛有效尺寸

Φ50(炉管直径可根据实际需求定制)

炉膛材料

氧化铝、高温纤维制品

热电偶

K型

控温精度

±1℃

控温方式

30段可编程控温,PID参数自整定

加热区长度

100mm

加热元件

电阻丝

额定功率

800W

PE系统

功率输出范围

0W~500W

最大反射功率

100W

射频输出接口

50 Ω, N-type, female

功率稳定度

≤5W

谐波分量

≤-50dbc

供电电压

单相交流(187V-253V) 频率50/60HZ

整机效率

≥70%

功率因素

≥90%

冷却方式

强制风冷

三路质子流量控制系统

连接头类型

双卡套不锈钢接头

标准量程(N2)

50sccm,100sccm、500sccm(可根据用户要求定制)

准确度

±1.5%F.S

线性

±1%F.S

重复精度

±0.2%F.S

响应时间

气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec

工作压差范围

0.1~0.5 MPa

最大压力

3MPa

接口

Φ6,1/4''

显示

4位数字显示

工作环境温度

5~45高纯气体

压力真空表

-0.1~0.15 MPa, 0.01 MPa/格

截止阀

Φ6

内外双抛不锈钢管

Φ6

低真空机组

空气相对湿度

≤85%

工作环境

5℃~40℃

工作电压

280V

抽气速率

32m³/h

极限真空

5X10-1Pa(空载冷态)

工作压力范围

1.01325X105~1.33X10-2Pa

耐压值

0.03MPa

进气口口径

KF40

排气口口径

KF40

连接方式

采用波纹管,手动挡板阀与波纹管相连

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