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1200℃双炉滑轨PECVD
设备简介:双温场滑轨炉PECVD(等离子化学气相沉积系统)系统,有多路质量流量计系统(进口流量计),真空机组(进口真空泵),PE射频电源(进口射频源),温控系统等装置构成。使用PE源将气源等离子化,有利于降低工艺温度,同时扩大工艺的使用条件,满足更多的工艺实验要求,如石墨烯、碳纳米管等,控制操作系统集成于触摸屏操作面板上,便于操作与观察。
1200℃三温区滑轨式PECVD系统 BTF-1200C-III-SL-PECVD
设备型号:BTF-1200C-III-SL-PECVD 设备简介:高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品,其极低的热导率和比热容,保证了炉膛的快速升温和低蓄热,特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热,有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统,控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温,电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制,从而大大提高了发热元件的寿命,测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID 参数,无须操作人员的干预,可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号,同时系统设置了超温、欠温、断偶报警保护功能,大大降低了对操作人员经验的要求,关键电气元件采用优质的进口产品,做到高性能、免维护,提高了设备质量的可靠性。 设备用途:本设备主要针对实验中试石墨烯生长和制备使用,同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。
1200℃双温区PECVD系统 BTF-1200C-II-PECVD
设备型号:BTF-1200C-II-PECVD BTF-1200C-II-SL-PECVD 设备简介:PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式,低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点,工艺流程简单。配有前端预加热炉,辅助固态源蒸发,后端为单温区加热炉 ,温度控制精确,操作简便,对于气相沉积,二维材料,等离子处理生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
1200℃单温区滑轨式PECVD系统 BTF-1200C-SL-PECVD
设备型号:BTF-1200C-SL-PECVD 设备简介:高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品,其极低的热导率和比热容,保证了炉膛的快速升温和低蓄热,特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热,有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统,控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温,电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制,从而大大提高了发热元件的寿命,测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID 参数,无须操作人员的干预,可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号,同时系统设置了超温、欠温、断偶报警保护功能,大大降低了对操作人员经验的要求,关键电气元件采用优质的进口产品,做到高性能、免维护,提高了设备质量的可靠性。 设备用途:本设备主要针对实验中试石墨烯生长和制备使用,同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。
1200℃小型滑轨式PECVD系统 BTF-1200C-S-SL-PECVD
设备型号:BTF-1200C-S-SL-PECVD 设备简介:高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品,其极低的热导率和比热容,保证了炉膛的快速升温和低蓄热,特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热,有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统,控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温,电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制,从而大大提高了发热元件的寿命,测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID 参数,无须操作人员的干预,可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号,同时系统设置了超温、欠温、断偶报警保护功能,大大降低了对操作人员经验的要求,关键电气元件采用优质的进口产品,做到高性能、免维护,提高了设备质量的可靠性。  设备用途:本设备主要针对实验中试石墨烯生长和制备使用,同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。
1200℃微型PECVD系统 BTF-1200C-S-PECVD
设备型号:BTF-1200C-S-PECVD 设备简介:高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品,其极低的热导率和比热容,保证了炉膛的快速升温和低蓄热,特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热,有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统,控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温,电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制,从而大大提高了发热元件的寿命,测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID 参数,无须操作人员的干预,可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号,同时系统设置了超温、欠温、断偶报警保护功能,大大降低了对操作人员经验的要求,关键电气元件采用优质的进口产品,做到高性能、免维护,提高了设备质量的可靠性。 设备用途:本设备主要针对实验中试石墨烯生长和制备使用,同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。
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