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1200℃真空气氛箱式炉 ZMF-1200C-M
设备型号:ZMF-1200C-M
真空气氛箱式炉 ZMF-1400C
设备型号:ZMF-1400C 设备简介:贝意克自主研发生产的ZMF-1400C真空箱式炉系列用于在1350℃以下金属材料的热处理和还原性烧结等工艺,也可用于产品的炭化试验。该炉采用优质U型硅棒加热,PID程序控温仪控制,温控仪可设定30段升温曲线、PID控制参数自整定、并具有断偶、超温报警保护等功能。炉体采用超轻质高铝纤维材料,具有热容小、温度升降控制灵活、节能等特点,真空加热室由双层钢板焊成圆桶形密封套,内装炉膛和端盖,为设备提供优良的真空加热环境;同时利用钢板夹层隔绝热量,降低了炉体表面温度,防止灼伤。设备可根据真空度的需要分别选用机械泵或真空机组, 非常适合于试验和小批量生产之用。
卷对卷连续化生长CVD设备 RTR-III-80
设备型号:RTR-III-80 设备简介:该设备为我司研发用于石墨烯薄膜连续生长或者线性材料的连续的专用设备,此款设备是快速冷却卷对卷CVD连续生长炉,它由高温生长腔体,三路质量流量计气路系统,真空机组,石英管,冷却装置,收放卷的密封装置,自动化控制系统组成,两端分别安装有进料进气真空腔室和出料排气真空腔室(即收放铜箔或纤维丝的密封装置),收放密封装置内分别对应安装有放卷滚轮和收卷滚轮,所输出料排气腔体与炉体之间安装有冷却装置。相对于现有技术具有快速冷却、连续生长的优点,可以进行大面积、高质量石墨烯的规模化生长或者线性材料的连续生长。(纤维生长工艺,配有纤维张力计,可以通过调节电机转速,以便达到纤维连续进出且受力均匀)
自动进料回转CVD系统 BTF-1200C-R-CVD
型号:BTF-1200C-R-CVD
大口径动态plasma辅助法卷对卷式石墨烯制备设备 RTR-150
设备型号:RTR-150 设备简介: 该设备为我司研发用于材料连续生长的专用设备,此款设备是快速冷却卷对卷等离子体增强CVD连续生长炉,它由高温生长腔体,质量流量计气路系统,真空机组,RF射频电源模块,石英管,冷却装置,收放卷的密封装置,自动化控制系统组成,两端分别安装有进料进气真空腔室和出料排气真空腔室(即收放卷的密封装置),收放密封装置内分别对应安装有放卷滚轮和收卷滚轮,所输出料排气腔体与炉体之间安装有冷却装置。相对于现有技术具有快速冷却、连续生长的优点。
回转PECVD BTF-1200C-R-PECVD
设备型号:BTF-1200C-R-PECVD 设备简介:本款设备可以做金属复合石墨烯材料,是目前最高端的金属复合材料制备设备。可以用于动力电池,提升电池内阻和能量密度,有效解决新能源汽车电池的问题。设备炉管可360度旋转,管内壁有石英挡片帮助粉料翻转有助于烧结得更均匀;可左右大角度倾斜,方便出放料,倾斜角度在0~35°之间。全自动Plasma增强CVD系统(PECVD),连续可控温度以及Plasma强度等,配备真空系统,可以实现低压条件下的实验,针对低温石墨烯、碳纳米管生长等。PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区,辉光均匀等效,这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态,这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍,并解决了物料不均匀堆积现象。
碳纳米纤维膜系统 BTF-1400C-CN-80
设备型号:BTF-1400C-CN-80 设备简介:碳纳米纤维膜系统,是通过集高温场、设计的薄膜采集系统及液态碳源调控系统于一体的碳纳米管制备设备。此系统采取液态碳源的方式,通过载气和压力引导,使碳源通过高温区,并在高温区进行裂解,在催化剂等的作用下得到碳纳米管材料,此材料最终沉积后端收集系统的成膜区,形成碳纳米管薄膜,可被应用于众多光电领域。
OLED真空搅拌匀料系统 BTF-1200C-RF-II-210
设备型号:BTF-1200C-RF-II-210
高真空封口机 BOF-04PA
设备型号:BOF-04PA 设备简介:高真空封口机为老化试验封装而设计,本设备配备进口高真空机组,氢氧发生源,旋转真空机构,微调结构等。设备操作简单、安全、方便。
流化床—粉体碳纳米管生长设备
设备简介:流化床—化学气相沉积法可控及批量制备碳纳米管设备,该设备包括有:自动加液装置、超声波雾化发生装置、气体供应装置、气体流量控制装置、三温区流化床反应器及加热装置、旋风分离器、固体收集装置、净化处理装置。气体供应装置出气口在经过气体流量控制装置后与超声波雾化装置进气口相连接,自动加液装置出液口与超声波雾化发生装置进液口相连接,通过雾化装置内部的液体控制装置来控制加液。超声波雾化装置的出口与三温区流化床反应器的进料口相连接,反应器的出料口通过透明管与旋风分离器相连接,旋风分离器上面的气体出口与净化处理装置相连接,下面的固体捕集出口与固体收集器相连接。经过旋风分离器后,大量的气体向上通过净化装置后排向大气,而固体则捕集到固体收集装置中。碳纳米管生长最难控制的就是气场和流场温度差异相互影响,由于变量太多,无法确保生长的碳纳米管形态一致,从而质量非常低,本方案完全解决气场和流场及温度变量的相互影响。 本方案通过流量计和静态混气室把气体均匀混拌,通过上通气,气体通过双层管(夹层管预热气体,内腔体生长碳纳米管)确保通入的气体进入生长腔体内温度一直,通过多空陶瓷网的结构设计,从而解决均匀进气的问题。使的生长腔体热场流场稳定,确保得到高质量重复性好的碳纳米管。
1400℃真空淬火炉 BTF-1400C-BVT
设备型号:BTF-1400C-BVT 设备简介:BTF-1400C-BVT是一款立式真空淬火炉,配有一个密封的储液罐;可在真空或气氛环境下对各种样件进行淬火,从最高温度1400度快速落入冰水或油中,很大程度上减少了样件的氧化和形变,适用于各种金属样件的淬火。
大三温区立式炉 VTF-1200C-III-A-100
设备型号:VTF-1200C-III-A-100 设备简介:该设备为三温区立式加热炉,最高温度为1200℃,加热区域300+300+300.加热炉管为高纯石英管,两端配有水冷法兰,炉管及法兰固定在摆动机构上,摆动机构可以将炉管转出加热区,以实现快速降温。
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