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冷壁卷对卷连续生长石墨烯CVD设备
设备型号:RTR-CVD-500
高温升降箱式炉 ZZL-1700C-L
设备型号:ZZL-1700C-L 设备简介:这是一款高温升降箱式炉设备。该设备主要分为高温加热炉、自动送料平台、以及智能工控操作系统。
小型三温区PECVD设备 BTF-1200C-III-S-PECVD
设备型号:BTF-1200C-III-S-PECVD
实验级流化床设备 BTF-1200C-D-CVD
设备型号:BTF-1200C-D-CVD 设备简介:该款设备为立式实验级流化床制备设备,设备配有上端进料装置,中部反应炉管,下部收集装置;实验通过上端螺旋送粉料至管内内管,反应气体通过下端法兰内管进入,与落入内管的粉料混合并将粉料吹入到内管外,在内管外自由落入下端法兰直至收集罐中;通过收集罐收集取出产物。
1200℃三温区管式CVD设备 BTF-1200C-III-3ZL-CVD
设备型号:BTF-1200C-III-3ZL-CVD 设备组成:该设备主要由多路供气系统、三温区加热炉、低真空系统、以及智能控压组件组成。
滑轨式4英寸三温区管式炉 BTF-1200C-VB-SL-D100
设备型号:BTF-1200C-VB-SL-D100 设备简介:这是一款滑轨式4英寸管式炉。该设备主要包含4大部分:前端预热炉、三温区滑轨炉、压力控制系统、真空系统组成。
智能型连续进出料CVD设备 BTF-1200C-III-3D-CVD-D210
设备型号:BTF-1200C-III-3D-CVD-D210 设备简介:此款定制智能型连续进出料CVD设备包含主要由七大部分,进料腔,大口径管式炉、出料腔、推拉机构、供气系统、真空系统、以及自动化控制软件组成。
PECVD系统 BTF-1400C-D-CVD
设备型号:BTF-1400C-D-CVD 设备简介:这是一款定制多功能PECVD设备。该设备主要由开启式加热炉、气路系统、反应管、射频组件、蒸发系统、真空系统、智能控制系统等部件组成。
高温真空退火CVD系统 BTF-1200C-VI-SL-CVD-D210
设备型号:BTF-1200C-VI-SL-CVD-D210 设备简介:这是一款定制退火管式炉。该设备主要由开启式加热炉、预热炉、气路系统、反应管系统、智能控制系统组成。
双温区旋转雾化管式炉 BTF-1200C-II-UAR-SL
设备型号:BTF-1200C-II-UAR-SL 设备简介:这是一款双温区旋转雾化管式炉。该设备主要包含5大部分:双温区管式炉、电气控制系统、旋转机构、超声波雾化装置以及滑轨机构。
1700℃下装载式箱式炉 ZZL-1700C-S
设备型号:ZZL-1700C-S
1100℃真空淬火炉 BTF-1100C-H
设备型号:BTF-1100C-H 设备简介:该设备为真空淬火炉,设备上端为进气端,下端为出气端。控制箱独立设计,设备外观结构简约稳重,操作直观方便。电气控制使用内置控温仪表,其采用智能PID控制和自动整定调节,高达30段可编程序控制。控温精度±1℃,带有超温、断偶,报警功能。炉膛使用氧化铝纤维材质,K型热电偶测温搭配优质电阻丝为加热原件,内部温场均匀。
1700℃箱式热循环炉
设备型号:MF-1700C-VT-II 设备简介:MF-1700C-VT-II是我司根据客户需求定制的一款箱式热循环炉,系统主要由高温箱式加热炉、升降滑轨系统、风冷系统、PLC控制系统组成。以硅钼棒为加热元件,通过下装载炉门和侧面防护门配合实现对样品热氧老化实验(对样品重复多次加热和冷却),安装操作简单,使用方便。炉膛采用高纯氧化铝纤维材料,最高温度能达到1700℃,可连续工作温度≤1600℃,控温精度±1℃。该炉使用温场均匀、表面温度低、智能操作,设定烧结工艺可重复性强。
1200℃单温区立式管式炉 BTF-1200C-VT-150
设备型号:BTF-1200C-VT-150 设备简介:该设备为立式结构,可广泛用于材料的制备,退火等工艺要求。该炉具有使用温度高、高精度控温、操作简单、维修方便等优点。
WFY-100型颚式粉碎机
设备型号:WFY-100 设备简介:WFY-100型颚式粉碎机适于实验室对中硬性、硬性、脆性和硬韧性的材料样品提供快速的粗粉碎或预粉碎处理。该机型具有多种不同材料的颚板可供针对性选择。大流量处理能力,优异的设备性能和安全性能,是您在实验室和企业生产中进行样品前处理的理想选择。 应用领域:工程/电子, 建筑原料, 化学 / 合成材料, 地质矿产 / 冶金, 环境 / 资源回收利用, 玻璃/ 陶瓷
双管式高真空管式设备 BSL-1ZH-D80-2D
设备型号:BSL-1ZH-D80-2D 设备简介:双管式高真空管式设备BSL-1ZH-D80-2D,配备真空系统、手摇升降机构、触摸屏控制系统、气路组件、真空系统、防护组件等;设备平台可0-20度手动升降,双管高真空实验;设备左端法兰上每管配有压力表和2个截止阀控制的进气口,其中一个为备用扣;右端法兰上端配有压力保护装置,出气口对接点火装置,方便处理尾气;后部通过手动插板阀对接冷井至真空泵组合:分子泵+干泵。
摇摆管式炉(Swing tube furnace)
型号:BTF-1200C-SK 关键词:摇摆管式炉BTF-1200C-SK是一款管式摇摆炉,最高温度可达1200℃,30段可编程精密温度控制器,可根据不同的客户需求来设定升降温程序,设备可设定取放料工位(如垂直取放料),并设定摇摆起始工位(如垂直作为起始工位),可实现液晶屏一键归位,速度范围为0-30次/min,倾斜角度可达±30度。内置310不锈钢防护管,可很好的在石英样管出现特殊情况爆管的时候起到保护作用。 产品用途:可通过摇摆提高熔体均匀性、细化晶粒,广泛应用于热电材料制备工艺中。
双独立温场高温滑轨炉(High temperature slide furnace with double independent temperature field)
型号:BTF-1400C-II-SSL 关键词:BTF-1400C-II-SSL是一款两个完全独立温场的高温滑轨炉,采为卡箍快捷密封法兰,安装拆卸取放样品简便快捷,两个数字温度控制器可独立控制温度,并可设置30段升降温程序,加热区均采用硅碳棒进行加热,连续使用温度可达1300度;两个独立的炉体可靠近亦可分离,可以灵巧的控制整个温度分布。 适用范围:广泛用于CVD实验、荧光粉制备、真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境中。
1200℃智能型PECVD系统(含压力控制系统) PECVD-500A-D
设备型号: PECVD-500A-D 设备简介:智能PECVD-500A-D是将所有的控制部分集为一体且目前最新型的一款设备。可配备PE射频电源,将CVD系统升级为PECVD。当参与反应的气氛进入炉管在射频电源的作用下产生离子体,可使反应更加充分。同时等离子体起增强的作用,从而很大程度上优化实验的工艺条件。我公司研制的滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区,辉光均匀等效,这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态,这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍,并解决了物料不均匀堆积现象。与传统CVD系统比较,生长温度更低。使用滑轨炉实现快速升温和降温,设备特有的专利技术使得整管辉光均匀等效,均匀生长。
分体式升华设备手套箱(简易款)
设备简介:此款设备简易分体式结构,能将升华体置于手套箱内部,控制部分及真空部分置于手套箱外,成本低,操作简易。能初步满足材料进出及升华过程中的气氛保护要求。法兰为球头真空吸附方式密封,无需工具操作,大大降低了手套箱内的操作难度,整个操作过程材料与大气隔绝,避免了大气中水、氧的影响以及灰尘的污染,是制备高纯度半导体前驱体及相关材料的最佳选择。
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