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产品描述
产品参数
主要特点
此设备特点是将硫粉放于左端冷区，当硫化过程开始时利用拉杆式将硫粉推进热场。控制电路选用模糊PID程控技术，具有控温精度高，温冲幅度小，性能可靠，简单易操作。同样也适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
技术参数
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炉管尺寸：
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外径Φ25/50/60/80/100*1000mm（可选）
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极限温度：
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1200℃
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工作温度：
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≤1100 ℃
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温度控制器：
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PID自动控制晶闸管（可控硅）输出功率， 30段可编程控制器
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升温速率：
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≤50℃/min
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加热区：
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200+200mm
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恒温区：
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100+100mm
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控温精度：
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±1 ℃
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电源：
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单相220V，交流50Hz
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3路质量流量供气系统
（触摸屏控制）
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最大电压：
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185~245V/50Hz
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最大输出功率：
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18W
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流量计标准量程：
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100 ，200，500SCCM
（非特殊指定以氮气标定，量程可选定）
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工作温度：
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5~45 ºC
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工作压差：
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0.1～0.5 MPa
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最大压力：
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3MPa
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准确度：
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±1.5% FS
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低真空系统
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抽速：
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8.11 m³/h
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极限总压：
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3×10-3 mabr
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进排气口：
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DN 25 KF
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噪音
（气镇开关时，距离1米处测量）
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54 dB
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注油量：
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0.7- 1.1 L
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重量：
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21 Kg
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工作温度：
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10~40 ℃
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功率：
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550W
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