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产品描述
产品参数
主要特点
此设备特点是将硫粉放于左端冷区,当硫化过程开始时利用拉杆式将硫粉推进热场。控制电路选用模糊PID程控技术,具有控温精度高,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作。同样也适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
技术参数
![]() |
炉管尺寸:
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外径Φ25/50/60/80/100*1000mm(可选)
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极限温度:
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1200℃
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工作温度:
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≤1100 ℃
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温度控制器:
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PID自动控制晶闸管(可控硅)输出功率, 30段可编程控制器
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升温速率:
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≤50℃/min
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加热区:
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200+200mm
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恒温区:
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100+100mm
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控温精度:
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±1 ℃
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电源:
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单相220V,交流50Hz
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3路质量流量供气系统
(触摸屏控制)
![]() |
最大电压:
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185~245V/50Hz
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最大输出功率:
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18W
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流量计标准量程:
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100 ,200,500SCCM
(非特殊指定以氮气标定,量程可选定)
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工作温度:
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5~45 ºC
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工作压差:
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0.1~0.5 MPa
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最大压力:
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3MPa
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准确度:
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±1.5% FS
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低真空系统
![]() |
抽速:
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8.11 m³/h
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极限总压:
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3×10-3 mabr
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进排气口:
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DN 25 KF
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噪音
(气镇开关时,距离1米处测量)
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54 dB
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注油量:
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0.7- 1.1 L
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重量:
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21 Kg
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工作温度:
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10~40 ℃
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功率:
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550W
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