阵列法碳纳米管生长设备_产品中心_安徽贝意克设备技术有限公司

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阵列法碳纳米管生长设备

名称

1200℃双温区CVD系统（低真空、高真空） BTF-1200C-II-CVD

设备型号：BTF-1200C-II-CVD 设备简介：此套设备是由1200℃双温区开启式管式炉、三路质量流量计及低真空系统组成，根据工艺要求亦可选配高真空系统。设备可以抽真空通气体保护。气动弹簧支撑结构使开启更加方便、简捷，使用者可直接将样品放到恒温区加热，在快速降温过程，透明石英管腔体可直观的看到样品烧结状态。法兰采用卡箍快捷接头，减去了取放料时的繁琐操作，炉管工件横穿与上下各8组进口电阻丝的炉膛，温场均匀，内外温差可控制在3度左右。应用领域：广泛应用在半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、新工艺领域。

名称

双温区滑轨式PECVD系统 PECVD-II-500A

设备型号：PECVD-II-500A 设备简介：本设备主要针对实验中试石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜，用作手机触摸屏，平板电脑,智能穿戴，传感器等领域。 PECVD-II-500A高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品，其极低的热导率和比热容，保证了炉膛的快速升温和低蓄热，特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热，有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统，控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温，电力调制器控制；负载采用小电压大电流控制，从而大大提高了发热元件的寿命，测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID 参数，无须操作人员的干预，可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号，同时系统设置了超温、欠温、断偶报警保护功能，大大降低了对操作人员经验的要求，关键电气元件采用优质的进口产品，做到高性能、免维护，提高了设备质量的可靠性。