设备型号:BTF-1200C-R-PECVD-AD2 设备简介:BTF-1200C-R-PECVD-AD2设备是全自动Plasma增强PECVD系统,连续可控温度以及Plasma强度等,配备真空系统,可以低压条件下进行实验,PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区,辉光相对均匀等效,有效的解决了传统等离子工作不稳定状态,该设备炉管可360°旋转,有助于粉料的烧结更均匀,可大角度倾斜,方便进出料,倾斜角度在0-30°之间。
设备型号:BTF-1200C-RP-PECVD 设备简介:该款设备是全自动Plasma增强CVD系统(PECVD),连续可控温度以及Plasma强度等,配备真空系统,可以低压条件下实现工艺,PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区,辉光相对均匀等效,很好的解决了传统等离子工作不稳定状态,该设备炉管可360°旋转,有助于粉料的烧结更均匀,可大角度倾斜,方便进出料,倾斜角度在0-35°之间,所有物料经过的管道都选用非金属材质,如:进出料腔体选用石英材质,推料杆选用石英及聚四氟材质。
设备型号:RTR-III-150 设备简介:该设备为我司研发用于材料连续生长的专用设备,此款设备是快速冷却卷对卷CVD连续生长炉,它由高温生长腔体,质量流量计气路系统,真空机组,压力控制系统,射频控制系统、石英管,冷却装置,收放卷的密封装置,自动化控制系统组成,两端分别安装有进料进气真空腔室和出料排气真空腔室(即收放卷的密封装置),收放密封装置内分别对应安装有放卷滚轮和收卷滚轮,所输出料排气腔体与炉体之间安装有冷却装置。相对于现有技术具有快速冷却、连续生长的优点。