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智能型PECVD系统 PECVD-III-500A-D210
设备型号:PECVD-III-500A-D210
1200℃智能型PECVD系统(含压力控制系统) PECVD-500A-D
设备型号: PECVD-500A-D 设备简介:智能PECVD-500A-D是将所有的控制部分集为一体且目前最新型的一款设备。可配备PE射频电源,将CVD系统升级为PECVD。当参与反应的气氛进入炉管在射频电源的作用下产生离子体,可使反应更加充分。同时等离子体起增强的作用,从而很大程度上优化实验的工艺条件。我公司研制的滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区,辉光均匀等效,这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态,这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍,并解决了物料不均匀堆积现象。与传统CVD系统比较,生长温度更低。使用滑轨炉实现快速升温和降温,设备特有的专利技术使得整管辉光均匀等效,均匀生长。
等离子辉光滑轨PECVD系统
设备简介:PECVD高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品,其极低的热导率和比热容,保证了炉膛的快速升温和低蓄热,特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热,有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统,控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温,电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制,从而大大提高了发热元件的寿命,测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID 参数,无须操作人员的干预,可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号,同时系统设置了超温、欠温、断偶报警保护功能,大大降低了对操作人员经验的要求,关键电气元件采用优质的进口产品,做到高性能、免维护,提高了设备质量的可靠性。 应用领域:本设备主要针对实验石墨烯生长和制备使用,同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。
等离子辉光滑轨PECVD系统
设备型号:PECVD-500A/PECVD-S-150A 设备简介:PECVD高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品,其极低的热导率和比热容,保证了炉膛的快速升温和低蓄热,特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热,有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统,控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温,电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制,从而大大提高了发热元件的寿命,测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID 参数,无须操作人员的干预,可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号,同时系统设置了超温、欠温、断偶报警保护功能,大大降低了对操作人员经验的要求,关键电气元件采用优质的进口产品,做到高性能、免维护,提高了设备质量的可靠性。 应用领域:本设备主要针对实验石墨烯生长和制备使用,同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。
1200℃三温区PECVD BTF-1200C-III-500A
设备型号:BTF-1200C-III-500A 设备简介:BTF-1200C-PECVD高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品,其极低的热导率和比热容,保证了炉膛的快速升温和低蓄热,特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热,有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统,控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温,电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制,从而大大提高了发热元件的寿命,测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID 参数,无须操作人员的干预,可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号,同时系统设置了超温、欠温、断偶报警保护功能,大大降低了对操作人员经验的要求,关键电气元件采用优质的进口产品,做到高性能、免维护,提高了设备质量的可靠性。    应用领域:本设备主要针对实验和中试石墨烯生长和制备使用,同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。
1200℃双温区PECVD PECVD-II-500A
设备型号:PECVD-II-500A 设备简介:PECVD-II-500A高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品,其极低的热导率和比热容,保证了炉膛的快速升温和低蓄热,特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热,有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统,控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温,电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制,从而大大提高了发热元件的寿命,测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID 参数,无须操作人员的干预,可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号,同时系统设置了超温、欠温、断偶报警保护功能,大大降低了对操作人员经验的要求,关键电气元件采用优质的进口产品,做到高性能、免维护,提高了设备质量的可靠性。 应用领域:本设备主要针对实验和中试石墨烯生长和制备使用,同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。
前端预热滑轨式PECVD BTF-1200C-II-SL-PECVD
设备型号:BTF-1200C-II-SL-PECVD 设备简介:我公司研制的滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区,辉光均匀等效,这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态,这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍,并解决了物料不均匀堆积现象。该款设备是全自动Plasma增强CVD系统(PECVD),系统可以实现连续滑动温区,连续可控制温度及Plasma强度。PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:①电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。②通过反应气态放电,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点,工艺流程简单。
1200℃三独立智能型滑轨PECVD PECVD-III-500A-SSSL
设备型号:PECVD-III-500A-SSSL 设备简介:此款高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品,其极低的热导率和比热容,保证了炉膛的快速升温和低蓄热,特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热,有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统,控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温,电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制,从而大大提高了发热元件的寿命,测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID 参数,无须操作人员的干预,可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号,同时系统设置了超温、欠温、断偶报警保护功能,大大降低了对操作人员经验的要求,关键电气元件采用优质的进口产品,做到高性能、免维护,提高了设备质量的可靠性。 应用领域:本设备主要针对实验和中试石墨烯生长和制备使用,同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。
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