1200℃小型三温区PECVD设备 BTF-1200C-III-S-PECVD

设备型号：BTF-1200C-III-S-PECVD 设备组成：这是一款定制组合式PECVD设备，该设备主要由加热炉、射频组件、气路柜组成。

1200℃三温区滑轨式PECVD系统 BTF-1200C-III-SL-PECVD

设备型号：BTF-1200C-III-SL-PECVD 设备简介：高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品，其极低的热导率和比热容，保证了炉膛的快速升温和低蓄热，特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热，有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统，控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温，电力调制器控制；负载采用小电压大电流控制，从而大大提高了发热元件的寿命，测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID 参数，无须操作人员的干预，可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号，同时系统设置了超温、欠温、断偶报警保护功能，大大降低了对操作人员经验的要求，关键电气元件采用优质的进口产品，做到高性能、免维护，提高了设备质量的可靠性。 工艺应用：本设备主要针对实验中试石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜，用作手机触摸屏，平板电脑，智能穿戴，传感器等领域。

1200℃双温区PECVD系统 BTF-1200C-II-SL-PECVD

设备型号：BTF-1200C-II-SL-PECVD 设备简介：PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式,低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单。配有前端预加热炉，辅助固态源蒸发，后端为单温区加热炉 ，温度控制精确，操作简便，对于气相沉积，二维材料，等离子处理生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

1200℃单温区滑轨式PECVD系统 BTF-1200C-SL-PECVD

设备型号：BTF-1200C-SL-PECVD 设备简介：高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品，其极低的热导率和比热容，保证了炉膛的快速升温和低蓄热，特别适合于科研单位的材料工艺研究。加热元件选用电阻丝加热，有利于炉内温度场的均匀分布。高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统，控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温，电力调制器控制；负载采用小电压大电流控制，从而大大提高了发热元件的寿命，测温元件采用K型热偶。采用单回路温控仪能够自整定PID 参数，无须操作人员的干预，可自行根据不同温度曲线的升、降温要求调整输出信号，同时系统设置了超温、欠温、断偶报警保护功能，大大降低了对操作人员经验的要求，关键电气元件采用优质的进口产品，做到高性能、免维护，提高了设备质量的可靠性。 工艺应用：本设备主要针对实验中试石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜，用作手机触摸屏，平板电脑,智能穿戴，传感器等领域。